Морозов А И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния
   
   ЖТФ, 89:6 (2019),  927–934
2. Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1436–1442
3. Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1615–1619