Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование критической температуры $T_{c}$ гомофазных сверхпроводников Bi$_{1.7}$Pb$_{0.3}$Sr$_{2}$Ca$_{(n-1)}$Cu$_{n}$ O$_{y}$ ($n$ = 3, 4, 5) и вольт-амперных характеристик сэндвич-пар полупроводник InP–сверхпроводник Bi/Pb (2223, 2234, 2245)
ЖТФ, 89:4 (2019), 583–589
-
Полевой транзистор с длинным каналом со свойствами короткоканального транзистора
Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 498–503
-
Особенности работы ограничителя напряжения в импульсном режиме
Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 364–368
-
Некоторые особенности получения фототока в одно- и многобарьерных фотодиодных структурах
Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010), 674–679
© , 2026