Белякова Елена Ивановна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние внешних параметров на процесс переключения при задержанной ионизации в кремниевой $p^+$–$n$–$n^+$-структуре
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  326–332
2. Численное и экспериментальное исследования оптимизированного $p$-SOS-диода
   
   ЖТФ, 89:3 (2019),  409–415
3. Мощный диодный наносекундный размыкатель тока на основе $p$-кремния ($p$-SOS)
   
   ЖТФ, 86:3 (2016),  106–109
4. Формирование профилей распределения мелких доноров при протонном облучении кремния
   
   Письма в ЖТФ, 40:23 (2014),  67–73
5. Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1204–1209
6. Исследование процесса обратного восстановления Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием
   
   Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  83–89
7. Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания
   
   Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1135–1139