Люблинский Александр Готфридович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Установка для испытания чипов полевых транзисторов на устойчивость к лавинному пробою при работе на индуктивную нагрузку
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  274–280
2. Влияние внешних параметров на процесс переключения при задержанной ионизации в кремниевой $p^+$–$n$–$n^+$-структуре
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  326–332
3. Исследование соотношения активных и реактивных потерь в дрейфовых диодах с резким восстановлением в зависимости от их режима работы
   
   Письма в ЖТФ, 49:24 (2023),  6–10
4. Численное и экспериментальное исследования оптимизированного $p$-SOS-диода
   
   ЖТФ, 89:3 (2019),  409–415
5. Численное моделирование наносекундного переключения $p$-SOS-диода
   
   ЖТФ, 87:12 (2017),  1790–1793
6. Исследование процесса выключения интегрального тиристора импульсом базового тока
   
   ЖТФ, 87:11 (2017),  1682–1686
7. Мощный полупроводниковый обостритель импульсов с субнаносекундным быстродействием
   
   ЖТФ, 87:5 (2017),  793–796
8. Исследование процесса выключения интегрального тиристора с внешним полевым управлением
   
   ЖТФ, 87:1 (2017),  155–158
9. Мощный диодный наносекундный размыкатель тока на основе $p$-кремния ($p$-SOS)
   
   ЖТФ, 86:3 (2016),  106–109
10. Исследование процесса наносекундного обрыва тока с высокой плотностью в SOS-диодах
    
    ЖТФ, 85:11 (2015),  104–108