Векслер Михаил Исаакович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Эпитаксиальное выращивание тонких пленок Ca$_{1-x}$Ba$_x$F$_2$ на Si(111) и исследование электрофизических характеристик структур металл–диэлектрик–полупроводник на их основе
   
   Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  26–30
2. Влияние внешних параметров на процесс переключения при задержанной ионизации в кремниевой $p^+$–$n$–$n^+$-структуре
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  326–332
3. Воспроизводимость электрофизических характеристик транзисторных структур на основе гетеросистемы графен–CaF$_2$–Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  272–277
4. Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворного диэлектрика
   
   Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  27–30
5. Пленки фторида кальция толщиной 2–10 нм на кремнии-(111): выращивание, диагностика, изучение сквозного токопереноса
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  888–892
6. Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  844–849
7. О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1631–1635
8. Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1177–1182
9. Моделирование туннельного переноса электронов в системе полупроводник–кристаллический диэлектрик–Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  900–905
10. Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл–диэлектрик–кремний
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  254–259
11. Немонотонное изменение туннельной проводимости МДП-структуры с двухслойным диэлектриком при увеличении его толщины (на примере системы металл/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si)
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  150–157
12. Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл–диэлектрик–кремний при резонансном туннелировании электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  467–471
13. Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-$K$-oxide/SiO$_{2}$/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  683–688
14. Резонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл–окисел–$p^{+}$-кремний
    
    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  62–69
15. Адаптация модели туннелирования в системе металл/CaF$_2$/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  266–270
16. Повышение эффективности кремниевого туннельного МДП-инжектора горячих электронов при использовании оксидов с большой диэлектрической проницаемостью
    
    Письма в ЖТФ, 41:17 (2015),  103–110
17. Туннельный диод с отрицательным дифференциальным сопротивлением и кварцевым резонатором на базе конденсатора $p^+$-Si/нано-SiO$_2$/$n^+$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1416–1420
18. Электрофизические явления в структуре металл/наноокисел/$p^+$-кремний при трансформации ее в резонансно-туннельный диод
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1087–1093
19. Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  675–683
20. Анализ особенностей электролюминесценции кремниевых МДП-структур как средство диагностики инжекционных свойств диэлектрического слоя
    
    Письма в ЖТФ, 39:19 (2013),  76–85
21. Моделирование электрических характеристик туннельных структур металл-диэлектрик-полупроводник сферической формы
    
    Письма в ЖТФ, 37:21 (2011),  33–40
22. Характеристики тонких барьерных слоев фторида кальция для полевых транзисторов и приборов функциональной электроники
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  26–33