Илларионов Юрий Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Воспроизводимость электрофизических характеристик транзисторных структур на основе гетеросистемы графен–CaF$_2$–Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  272–277
2. Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворного диэлектрика
   
   Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  27–30
3. Пленки фторида кальция толщиной 2–10 нм на кремнии-(111): выращивание, диагностика, изучение сквозного токопереноса
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  888–892
4. Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  844–849
5. Немонотонное изменение туннельной проводимости МДП-структуры с двухслойным диэлектриком при увеличении его толщины (на примере системы металл/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si)
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  150–157
6. Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл–диэлектрик–кремний при резонансном туннелировании электронов
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  467–471
7. Резонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл–окисел–$p^{+}$-кремний
   
   Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  62–69
8. Адаптация модели туннелирования в системе металл/CaF$_2$/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  266–270
9. Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  675–683
10. Анализ особенностей электролюминесценции кремниевых МДП-структур как средство диагностики инжекционных свойств диэлектрического слоя
    
    Письма в ЖТФ, 39:19 (2013),  76–85
11. Характеристики тонких барьерных слоев фторида кальция для полевых транзисторов и приборов функциональной электроники
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  26–33