Зубков Василий Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  18–22
2. Характеризация электрофизическими методами монокристаллического алмаза, легированного бором (обзор)
   
   ЖТФ, 93:1 (2023),  5–28
3. Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  16–20
4. Определение толщин и особенностей легирования многослойных $4H$–$\mathrm{SiC}$-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения
   
   Письма в ЖТФ, 48:2 (2022),  34–36
5. Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  281–286
6. Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 45:17 (2019),  39–42
7. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  873–880
8. Self-consistent simulation of GaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures photoluminescence spectra and its application to pHEMT structures diagnostics
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  479
9. Экспериментальное обнаружение резонансного туннелирования в легированной структуре с одиночной квантовой ямой методом адмиттансной спектроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  112–119
10. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции
    
    ЖТФ, 87:10 (2017),  1539–1544
11. Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  324–330
12. Анализ электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs методами спектроскопии адмиттанса
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  944–950
13. Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением в светоизлучающих гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  352–357