|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц
Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 357–362
-
Электролюминесценция одиночных InGaN/GaN микропирамид
Оптика и спектроскопия, 126:2 (2019), 180–185
-
Формирование и изучение оптических свойств светодиодов на основе микропирамид GaN с полупрозрачным контактом Ni/Au/графен
Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 136–145
-
Оптические свойства фотодетекторов на основе одиночных GaN-вискеров с графеновым прозрачным контактом
Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1118–1122
-
Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6–5.8 мкм при токовой накачке
Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1574–1577
-
Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов
Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 358–363
-
Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be
Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 797–801
-
Радиальный рост и форма полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 53–59
-
Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN
Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 857–860
-
Влияние послеростовой термической обработки на структурные и оптические свойства InP/InAsP/InP нитевидных нанокристаллов
Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 184–187
© , 2026