Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Собирание заряда в кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структурах при температуре 40 мК
Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025), 179–186
-
Дрейфовый перенос носителей заряда в кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структурах при температурах $\le$100 мK
Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024), 415–423
-
Физическое обоснование предела временно́го разрешения кремниевых планарных детекторов длиннопробежных тяжелых ионов
Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024), 333–340
-
Позиционно-чувствительный спектрометрический модуль для регистрации ионизирующего излучения полупроводниковыми стриповыми детекторами
Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 56–62
-
Распределение электрического поля в $p$–$n$-переходах кремниевых детекторов с торцевой чувствительностью
Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011), 1282–1289
-
Рентгенофлуоресцентный анализ халькогенидных стекол As–Ge–Se
Письма в ЖТФ, 37:6 (2011), 15–20
© , 2026