Дерябин Александр Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изучение кинетики сближения ступеней поверхности Si(100)
   
   Физика твердого тела, 65:2 (2023),  173–179
2. Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  608–613
3. Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF$_2$/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  748–752
4. Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001)
   
   Физика твердого тела, 61:2 (2019),  284–287
5. Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  409–413
6. Достоверность выявления пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных пленках с помощью структурно-чувствительного травления
   
   Письма в ЖТФ, 44:20 (2018),  30–36
7. Роль краевых дислокаций в пластической релаксации гетероструктур GeSi/Si(001): зависимость механизмов введения от толщины пленки
   
   Физика твердого тела, 57:4 (2015),  746–752
8. Особенности пластической релаксации метастабильного слоя Ge$_x$Si$_{1-x}$, захороненного между подложкой Si и релаксированным слоем Ge
   
   Физика твердого тела, 56:2 (2014),  247–253
9. Напряженные пленки Ge в гетероструктуре Ge/InGaAs/GaAs: образование краевых дислокаций несоответствия на границе Ge/InGaAs
   
   Физика твердого тела, 53:10 (2011),  1903–1909
10. Краевые дислокации несоответствия в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si(001) ($x\sim$ 1): роль промежуточного буферного слоя Ge$_y$Si$_{1-y}$ $(y<x)$ в их образовании
    
    Физика твердого тела, 53:9 (2011),  1699–1705
11. Гетероэпитаксия пленок Ge$_x$Si$_{1-x}$ ($x\sim$ 0.4–0.5) на подложках Si(001), отклоненных к (111): формирование только коротких краевых дислокаций несоответствия в направлении отклонения
    
    Физика твердого тела, 52:1 (2010),  32–36