|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния
Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 40–49
-
Особенности моделирования эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе перовскитов
Письма в ЖТФ, 43:14 (2017), 88–96
-
Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si
Письма в ЖТФ, 43:3 (2017), 29–38
-
Моделирование реальных значений кпд высокоэффективных кремниевых солнечных элементов
Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 531–537
-
Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 259–263
-
Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния
Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 70–76
-
Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 2. Анализ результатов и сравнение с экспериментом
Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 707–714
-
Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 1. Общие соотношения
Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 697–706
-
Особенности фотопреобразования в высокоэффективных кремниевых солнечных элементах
Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 271–277
-
Анализ возможностей реализации высоких значений эффективности фотопреобразования в тандемных гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах
Письма в ЖТФ, 41:10 (2015), 42–49
-
Моделирование эффективности многопереходных солнечных элементов
Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 693–701
-
Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе $a$-Si:H
ЖТФ, 83:11 (2013), 86–91
-
Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня
ЖТФ, 83:11 (2013), 78–85
© , 2026