Костылев В П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния
   
   Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  40–49
2. Особенности моделирования эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе перовскитов
   
   Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  88–96
3. Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si
   
   Письма в ЖТФ, 43:3 (2017),  29–38
4. Моделирование реальных значений кпд высокоэффективных кремниевых солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  531–537
5. Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  259–263
6. Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния
   
   Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  70–76
7. Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 2. Анализ результатов и сравнение с экспериментом
   
   Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  707–714
8. Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 1. Общие соотношения
   
   Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  697–706
9. Особенности фотопреобразования в высокоэффективных кремниевых солнечных элементах
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  271–277
10. Анализ возможностей реализации высоких значений эффективности фотопреобразования в тандемных гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах
    
    Письма в ЖТФ, 41:10 (2015),  42–49
11. Моделирование эффективности многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  693–701
12. Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе $a$-Si:H
    
    ЖТФ, 83:11 (2013),  86–91
13. Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня
    
    ЖТФ, 83:11 (2013),  78–85
14. К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  426–431