Тимошина Наиля Харисовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1641–1646
2. Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  385–389
3. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  31–38
4. Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  699–703
5. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  676–679
6. Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  94–100
7. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1358–1362
8. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246
9. Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  987–992
10. Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  525–530
11. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения для длин волн $\lambda\approx$ 1550 нм на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1104–1107
12. Оценка потенциальной эффективности многопереходного солнечного элемента при предельном балансе фотогенерированных токов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  682–687
13. Температурная стабильность контактных систем фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1280–1286
14. Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  671–676
15. Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)
    
    ЖТФ, 83:7 (2013),  106–110
16. Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H при повышенной освещенности
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1385–1390
17. Исследование световой деградации тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H солнечных фотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  667–674
18. Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  273–279
19. Фотоэлектрическое определение последовательного сопротивления многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1074–1081
20. Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1266–1273
21. Высокоэффективный ($\eta$ = 39.6%, AM 1.5D) каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  810–815
22. Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1568–1576
23. Исследование диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1118–1123
24. Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  270–277
25. Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As с изовалентным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  240–245