RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Василенко Антон Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  512–519
  2. Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра

    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  19–27
  3. Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)

    Письма в ЖТФ, 43:4 (2017),  64–71
  4. Напряженные пленки Ge в гетероструктуре Ge/InGaAs/GaAs: образование краевых дислокаций несоответствия на границе Ge/InGaAs

    Физика твердого тела, 53:10 (2011),  1903–1909


© МИАН, 2026