RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Василенко Антон Павлович
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Рост твердых растворов InAs
$_{x}$
Sb
$_{1-x}$
на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Физика и техника полупроводников
,
53
:4 (2019),
512–519
Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра
Письма в ЖТФ
,
44
:13 (2018),
19–27
Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)
Письма в ЖТФ
,
43
:4 (2017),
64–71
Напряженные пленки Ge в гетероструктуре Ge/InGaAs/GaAs: образование краевых дислокаций несоответствия на границе Ge/InGaAs
Физика твердого тела
,
53
:10 (2011),
1903–1909
©
МИАН
, 2026