Павлов Александр Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  27–30
2. Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  433–438
3. Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  107–113
4. Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе
   
   Квантовая электроника, 54:1 (2024),  43–50
5. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1483–1485
6. Активная копланарная линия передач на основе двухбарьерных GaAs/AlAs резонансно-туннельных диодов
   
   Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  14–16
7. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
8. Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации
   
   Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  663–669
9. Низкоэнергетическое бездефектное сухое травление барьерного слоя HEMT AlGaN/AlN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 44:10 (2018),  61–67
10. Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1267–1272
11. Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  461–466
12. Термическая стабильность несплавных омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  96–103
13. Влияние длины затвора на скорость инжекции электронов в каналах полевых транзисторов на основе AlGaN/AlN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  9–14
14. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
15. Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si$_{3}$N$_{4}$ in situ
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1434–1438
16. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400
17. Двухслойная диэлектрическая маска Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1138–1142