Алексеев Прохор Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Измерение уровня легирования нитевидных нанокристаллов с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния
   
   Физика твердого тела, 67:3 (2025),  460–463
2. Трибоэлектрическая генерация при трении проводящего зонда о поверхность GaAs
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2144–2147
3. Трибоэлектрическая генерация при трении высоколегированных алмазных зондов о поверхность $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  725–730
4. Обнаружение клиновидных нанокластеров золота на поверхности GaAs и их изучение с помощью поляризационной спектроскопии плазмонов
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  484–490
5. Распределение упругих деформаций в конических нанопроводах при боковых изгибах
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  634–636
6. Влияние химической пассивации поверхности GaAs(001) на анизотропию и ориентацию образующихся на ней нанокластеров золота и их плазмонов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  613–617
7. Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне
   
   Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  128–133
8. Терагерцевый ближнепольный отклик в лентах графена
   
   Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  29–32
9. Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  832–838
10. Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511
11. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
12. GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  511
13. Локальное анодное окисление слоев графена на SiC
    
    Письма в ЖТФ, 44:9 (2018),  34–40
14. Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1116–1124
15. Создание устойчивых зарядовых областей в массиве Ge-нанокристаллитов внутри SiO$_2$ с помощью электростатической силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 85:5 (2015),  50–56
16. Картирование интенсивности излучения лазерного диода методом атомно-силовой микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  8–15
17. Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких слоях high-k диэлектрика SmScO$_3$
    
    ЖТФ, 84:10 (2014),  122–126
18. Двухцветная люминесценция в одиночной гетероструктуре II типа InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  30–35
19. Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких диэлектрических слоях LaScO$_3$ на Si подложке
    
    Письма в ЖТФ, 39:9 (2013),  47–55
20. Определение модуля Юнга нанопроводов GaAs, наклонно растущих на подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  659–664
21. Фотодиоды с расширенным спектральным диапазоном 1.5–4.8 $\mu$m на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP, работающие при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 37:19 (2011),  95–103
22. Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  817–821