Ерофеев Евгений Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование конструктивно-технологических особенностей изготовления малошумящих GaAs-транзисторов с длиной T-затвора 150 нм для систем передачи информации
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  149–155
2. Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  249–252
3. Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
   
   Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  77–84
4. Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1278–1281
5. Увеличение порогового напряжения отпирания силовых GaN-транзисторов при использовании низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  253–257
6. Формирование низкорезистивного Cu$_{3}$Ge cоединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1258–1262
7. Влияние термообработки на параметры контактов металл–полупроводник, сформированных на халькогенизированной поверхности $n$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1191–1196
8. Исследование влияния сульфидной и ультрафиолетовой обработок поверхности $n$–$i$-GaAs на параметры омических контактов
   
   Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1056–1061