Смирнова Ирина Анатольевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние внешних параметров на процесс переключения при задержанной ионизации в кремниевой $p^+$–$n$–$n^+$-структуре
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  326–332
2. Экспериментальное наблюдение задержанного ударно-ионизационного пробоя полупроводниковых структур без $p$–$n$-переходов
   
   Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  66–73
3. Исследование процесса наносекундного обрыва тока с высокой плотностью в SOS-диодах
   
   ЖТФ, 85:11 (2015),  104–108
4. Аномальная динамика остаточного напряжения на арсенид-галлиевом диоде при субнаносекундном лавинном переключении
   
   Письма в ЖТФ, 41:7 (2015),  1–7
5. Субнаносекундное лавинное переключение высоковольтных кремниевых диодов с резкими и плавными $p$–$n$-переходами
   
   Письма в ЖТФ, 40:8 (2014),  80–87
6. Отрицательные электроды для литий-ионных аккумуляторов на основе пористого кремния
   
   Письма в ЖТФ, 37:15 (2011),  87–94