Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Спонтанное формирование кластеров In в эпитаксиальных слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 42–49
-
Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Письма в ЖТФ, 41:18 (2015), 82–88
-
Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале
Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 352–357
-
Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом
Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 32–35
-
Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb
Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011), 1379–1385
© , 2026