Толбанов Олег Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Селективные сенсоры двуокиси азота на основе тонких пленок оксида вольфрама при воздействии оптического излучения
   
   Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  7–10
2. Проводимость гетеропереходов Ga$_{2}$O$_{3}$–GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  154–160
3. Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных $S$-диодов на основе GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:11 (2018),  21–29
4. Связь структурно-фазовых изменений в пленках оксида титана с электрическими и фотоэлектрическими характеристиками структур TiO$_{2}$–Si
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1178–1184
5. Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл–TiO$_{2}$–Si
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1036–1040
6. Глубокие центры в структурах TiO$_2$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1036–1042
7. Влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на свойства структур TiO$_2$–Si
   
   Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  989–994
8. Свойства пленок TiO$_2$ на кремниевых подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  759–762
9. Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1391–1395
10. Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1137–1143
11. Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  598–603
12. Электрические характеристики структур $n$-GaAs–анодная пленка Ga$_2$O$_3$–металл
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1027–1031
13. Анодные пленки Ga$_2$O$_3$. Влияние термического отжига на свойства пленок
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  278–284
14. Анодные пленки Ga$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1130–1135
15. Влияние кислородной плазмы на свойства пленок оксида тантала
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1266–1273
16. Исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора GaAs : Fe методом сканирующей зондовой микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1009–1011
17. Механизм высокоскоростного переключения в арсенид-галлиевых структурах с глубокими центрами
    
    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  386–390