Яковлев Георгий Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  18–22
2. Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  16–20
3. Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  281–286
4. Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 45:17 (2019),  39–42
5. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  873–880
6. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции
   
   ЖТФ, 87:10 (2017),  1539–1544
7. Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  324–330