Милахин Денис Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Химическая кинетика процесса нитридизации поверхности Si(111) при температурах ниже структурного фазового перехода (7$\times$7)$\to$(1$\times$1)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  349–357
2. Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al$_2$O$_3$(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  734–741
3. Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2327–2332
4. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
5. Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  643–650
6. Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  925–931