Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm
Письма в ЖТФ, 51:5 (2025), 57–60
-
Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 36–39
-
Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 101–104
-
Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана
Письма в ЖТФ, 40:9 (2014), 17–23
© , 2026