Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия
Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 165–168
-
Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 161–164
-
Исследование многослойных тонкопленочных структур методом резерфордовского обратного рассеяния
Письма в ЖТФ, 45:12 (2019), 26–29
-
Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной температуре
Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011), 1038–1040
© , 2026