Полетаев Николай Константинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  28–30
2. Спектры оптического поглощения и схема уровней энергии ионов Er$^{3+}$ в объемных кристаллах нитрида алюминия
   
   Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2387–2391
3. Спектры поглощения объемных кристаллов нитрида алюминия, легированных ионами Er$^{3+}$
   
   Письма в ЖТФ, 42:3 (2016),  91–96
4. Динамика рекомбинации носителей в полупроводниковой лазерной структуре
   
   Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1578–1582
5. Влияние поверхностно-активных веществ на эпитаксиальный рост нитрида галлия, выращенного из газовой фазы в системе Ga–HCl–NH$_3$–H$_2$–Ar
   
   Письма в ЖТФ, 41:10 (2015),  29–34
6. Влияние напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения на вид спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе GaN/InGaN, легированных Sm, Eu + Sm
   
   Физика твердого тела, 55:5 (2013),  962–967
7. Спектры поглощения ионов Er$^{3+}$ в кристаллах Li$_6$Y(BO$_3$)$_3$
   
   Письма в ЖТФ, 39:9 (2013),  41–46
8. Арсенид-галлиевые $p$–$i$–$n$-структуры для детекторов рентгеновского излучения на германиевых и арсенид-галлиевых подложках
   
   Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  1–7
9. Эпитаксия нитрида галлия в полуполярном направлении на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 38:1 (2012),  21–26
10. Циркулярная поляризация люминесценции квантовых ям GaAs/AlGaAs в зависимости от условий роста структуры
    
    Физика твердого тела, 53:2 (2011),  371–376
11. Установка для измерения спектров излучения широкозонных полупроводниковых материалов
    
    ЖТФ, 81:9 (2011),  77–81
12. Фотолюминесценция нитрозамещенных фталоцианинов европия (III)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1104–1107
13. Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  445–451