Середова Наталья Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Анизотропные напряжения в слоях $\mathrm{GaN}(11\bar20)$ на подложке $r$-$\mathrm{Al}_2\mathrm{O}_3$ при хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  266–270
2. Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1006–1009
3. Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  28–30
4. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
5. Влияние облучения протонами и электронами МэВ-ных энергий на компенсацию проводимости и фотолюминесценцию слабо легированного $p$-4H-SiC (CVD)
   
   Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1198–1201
6. О связи радиационно-стимулированной фотолюминесценции с атомами азота в $p$-4H-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  61–67
7. Компенсация проводимости $n$-4H-SiC (CVD) при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ
   
   Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1033–1036
8. О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 36:12 (2010),  71–77