Павлов Николай Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  130–135
2. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb
   
   ЖТФ, 89:10 (2019),  1592–1597
3. Внутризонное поглощение излучения свободными дырками в квантовых ямах GaAs/InGaAs с учетом несферичности $kP$-гамильтониана
   
   Письма в ЖТФ, 45:10 (2019),  9–12
4. Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  207–220
5. Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb
   
   Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  617–627
6. Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.84}$Sb$_{0.16}$/AlSb
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1217–1227
7. Влияние непараболичности энергетического спектра носителей заряда на оптические характеристики гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.84}$Sb$_{0.16}$/AlSb
   
   Письма в ЖТФ, 40:20 (2014),  1–8
8. Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  32–37