Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC
ЖТФ, 89:12 (2019), 1869–1874
-
Частотная зависимость коэффициента поглощения электромагнитного излучения в магнитной жидкости
ЖТФ, 89:6 (2019), 948–951
-
Получение высокопроводящих и оптически прозрачных пленок со структурой мультиграфена путем карбонизации полиимидных пленок Ленгмюра–Блоджетт
Письма в ЖТФ, 45:9 (2019), 50–54
-
$P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)
Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1394–1397
-
Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs
Письма в ЖТФ, 39:18 (2013), 45–52
© , 2026