Трегулов Вадим Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптические свойства пористого кремния, облученного наносекундным иттербиевым лазером
   
   ЖТФ, 95:6 (2025),  1208–1215
2. Влияние режимов облучения наносекундным иттербиевым лазером на морфологию пленок пористого кремния
   
   ЖТФ, 94:5 (2024),  817–822
3. Механизмы токопереноса в полупроводниковой структуре с пленкой пористого кремния, сформированной металл-стимулированным травлением
   
   Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  420–425
4. Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления
   
   ЖТФ, 89:5 (2019),  737–743
5. Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением
   
   Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  24–27
6. Особенности частотной зависимости вольт-фарадных характеристик полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя на основе $p$–$n$-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния
   
   ЖТФ, 88:12 (2018),  1863–1867
7. Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/$por$-Si/$p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  751–756
8. Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния
   
   Письма в ЖТФ, 43:21 (2017),  3–9
9. Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния
   
   ЖТФ, 86:11 (2016),  91–94
10. Исследование механизмов токопрохождения в тонких пластинах рубрена, изготовленных газотранспортным методом
    
    Письма в ЖТФ, 42:22 (2016),  16–22
11. Особенности высокочастотной вольт-фарадной характеристики фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе кремниевого $p$–$n$-перехода с антиотражающим слоем пористого кремния
    
    ЖТФ, 84:9 (2014),  153–154
12. Способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах CdA/Si(p) на основе анализа вольт-фарадных характеристик
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012, № 3,  124–132
13. Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p)
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2011, № 3,  140–150