Лазаренко Петр Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. New metal-free dye with an acceptor-anchor group of thieno[3,2-b]thiophene family for dye-sensitized solar cells
   
   Mendeleev Commun., 36:1 (2026),  72–75
2. Разработка технологии создания фотонных интегральных схем с кольцевыми микрорезонаторами на основе структур Si/SiO$_2$/Si$_3$N$_4$
   
   Оптика и спектроскопия, 133:9 (2025),  957–962
3. Халькогенидные стеклообразные полупроводники в устройствах памяти и обработки информации (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:9 (2025),  511–539
4. Интегральный субтерагерцовый волноводный реконфигурируемый аттенюатор на основе материала Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ с фазовой памятью
   
   Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  84–90
5. Флексоэлектрический эффект в GeTe
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2311–2316
6. Анализ фемтосекундной модификации тонких пленок $a$-Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ методом XZ-сканирования
   
   Оптика и спектроскопия, 132:1 (2024),  27–33
7. Формирование периодических двухфазных структур на поверхности аморфных пленок Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при воздействии ультракоротких лазерных импульсов различной длительности и частоты следования
   
   Оптика и спектроскопия, 131:2 (2023),  196–201
8. Кинетика обратимых фазовых переходов в тонких пленках Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при фемтосекундном лазерном облучении
   
   Оптика и спектроскопия, 131:2 (2023),  145–153
9. New thieno[3,2-b]indole conjugates with 5-(methylene)rhodanine-3-acetic acid in dye-sensitized solar cells
   
   Mendeleev Commun., 32:4 (2022),  523–526
10. Материалы фазовой памяти и их применение
    
    Усп. хим., 91:9 (2022),  1–39
11. Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  154–160