Белов Сергей Вячеславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1388
2. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
3. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1386–1388
4. Erratum to: “Dynamics of induced base layer formation in tunnel MIS-transistors under strong electric fields”
   
   Письма в ЖТФ, 41:8 (2015),  409
5. Динамика формирования инверсного базового слоя в туннельных МДП-транзисторах в сильных электрических полях
   
   Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  103–110
6. Компенсация проводимости $p$-6H-SiC при облучении протонами с энергией 8 МэВ
   
   Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1188–1190