RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Терещенко Алексей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре

    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1376–1382
  2. Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  702–707
  3. Физические свойства пленок углерода, полученных при пиролизе метана в электрическом поле

    ЖТФ, 86:3 (2016),  110–113
  4. Влияние пластической деформации на магнитные свойства и дислокационную люминесценцию изотопно-обогащенного кремния $^{29}$Si:B

    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1175–1179
  5. Особенности и механизмы роста пленок кубического карбида кремния на кремнии

    Физика твердого тела, 54:4 (2012),  666–672
  6. Люминесценция алмаза, индуцированная ионной имплантацией He$^+$ в композиты SiC/C со структурой инвертированного опала

    Физика твердого тела, 54:3 (2012),  549–554
  7. Синтез периодической наноструктуры SiC/C

    Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1059–1063
  8. Влияние меди на центры дислокационной люминесценции в кремнии

    Физика твердого тела, 53:2 (2011),  346–352


© МИАН, 2026