Лошкарев Иван Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние Ge нанослоев и квантовых точек на фотолюминесцентные свойства гетероструктур с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si
   
   Физика твердого тела, 67:9 (2025),  1642–1646
2. Фотоэлектрические свойства структур с множественными квантовыми ямами GeSiSn|Ge и релаксированными слоями GeSiSn
   
   Физика твердого тела, 66:11 (2024),  1871–1878
3. Сверхрешетки InAs/GaSb для инфракрасных фотоприемников
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  33–36
4. InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля
   
   Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  27–30
5. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  980–992
6. Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1289–1295
7. Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  512–519
8. Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  409–413
9. Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра
   
   Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  19–27
10. Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)
    
    Письма в ЖТФ, 43:4 (2017),  64–71
11. Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)
    
    Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2095–2101