Вербицкий Василий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Термоэлектрические свойства лент Bi–Te–Se полученных методом быстрой закалки
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  800–804
2. Формирование медной контактной сетки на поверхности кремниевых гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  516–525
3. Динамика морфологии поверхности вольфрамовой фольги под нагрузкой
   
   Физика твердого тела, 62:12 (2020),  2003–2011
4. Двухэтапный синтез структурированных микросистем из наностержней оксида цинка с использованием ультразвукового спрей-пиролиза и низкотемпературного гидротермального метода
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1251–1257
5. Влияние механического воздействия на рельеф поверхности металлического стекла Fe$_{77}$Ni$_{1}$Si$_{9}$B$_{13}$
   
   Физика твердого тела, 61:4 (2019),  708–714
6. Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов $\alpha$-Si : H/Si с тонким внутренним слоем $i$-$\alpha$-Si : H
   
   Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  95–102
7. Использование солнечных элементов с двусторонней контактной сеткой в условиях Казахстана
   
   ЖТФ, 87:12 (2017),  1879–1883
8. Деградация кремниевых тонкопленочных микроморфных ($\alpha$-Si/$\mu c$-Si) солнечных модулей: оценка сезонной эффективности на основе данных мониторинга
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1229–1234
9. Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V$_{2}$O$_{5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  105–110
10. Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  3–11
11. Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом $a$-Si : H/$c$-Si
    
    Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  95–101
12. Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si
    
    Письма в ЖТФ, 43:3 (2017),  29–38
13. Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 2. Анализ результатов и сравнение с экспериментом
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  707–714
14. Исследование влияния спектральной чувствительности фотоэлектрических модулей на основе $c$-Si, $\alpha$-Si/$\mu c$-Si и условий эксплуатации на эффективность их работы
    
    Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  17–25
15. Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе $a$-Si:H
    
    ЖТФ, 83:11 (2013),  86–91
16. Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня
    
    ЖТФ, 83:11 (2013),  78–85
17. Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1264–1269
18. Исследование свойств солнечных элементов на основе $a$-Si : H-$p$–$i$–$n$-структур с помощью спектроскопии полной проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1094–1101