Пушкарев Сергей Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Генерация терагерцового излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами $\{\mathrm{InGaAs/InAlAs}\}$ с ориентациями (100) и (111)А
   
   Оптика и спектроскопия, 133:3 (2025),  221–231
2. Влияние температуры роста на структурное совершенство пленок CdTe(111), синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  141–149
3. Анализ ПЭМ-изображения квантово-каскадной лазерной гетероструктуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  179–184
4. Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе
   
   Квантовая электроника, 54:1 (2024),  43–50
5. Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  705–710
6. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
7. Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  877–884
8. Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1203–1210
9. Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  258–266
10. Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона–Холла
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  586–590
11. Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  395–401
12. Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  792–797
13. Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  529–534
14. Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  322–330
15. Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  567–573
16. Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  195–203
17. Фотолюминесцентные свойства модулированно-легированных структур In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As с напряженными нановставками InAs и GaAs в квантовой яме
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1243–1253
18. Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  942–950
19. Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  241–248
20. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  909–916
21. Фотолюминесцентные исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  658–666
22. Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности метаморфных НЕМТ наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  67–72
23. Исследование свойств новых конструкций метаморфного буфера InAlAs на подложках GaAs с распределенной компенсацией упругих деформаций
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  990–996
24. Исследование влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение МНЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  510–515
25. Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  348–352
26. Взаимосвязь конструкции метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs с содержанием InAs в активном слое 76–100% с морфологией их поверхности и электрофизическими свойствами
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1203–1208