Матюшенко Евгений Вадимович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  243–249
2. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1122–1128