Горячев Дмитрий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1112–1116
2. Транспорт и фоточувствительность в структурах: композитный слой из наночастиц кремния и золота на $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1071–1075
3. Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  921–925
4. Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  507–511
5. Поверхностные плазмон-поляритоны в композитной системе пористый кремний–золото
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  453–458
6. Свободные люминесцирующие слои пористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1636–1639
7. Оптические свойства нанопористого кремния, пассивированного железом
   
   Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  669–673
8. Воздушно-водородные топливные элементы с двухуровневым щелевым электродом на основе кремния
   
   Письма в ЖТФ, 36:10 (2010),  1–8
9. Резонансные эффекты, обусловленные возбуждением ПЭВ при почти нормальном падении пучка света на синусоидальную поверхность
   
   ЖТФ, 61:6 (1991),  100–105
10. Узкополосные селективные фотоприемники на основе структур Шоттки
    
    Письма в ЖТФ, 16:6 (1990),  72–75
11. Влияние тонкого диэлектрического слоя на свойства ПЭВ на границе металл$-$полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  1966–1970
12. Резонансные явления в структурах Шоттки при возбуждении «медленных» поверхностных электромагнитных волн
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  461–465
13. Поляризационная фоточувствительность барьеров электролит$-$CdGeP$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  312–315
14. Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик–металл–полупроводник на фотоответ полупроводника
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  906–910
15. Резонансная электролюминесценция структуры металл$-$полупроводник с гофрированной поверхностью
    
    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  757–760
16. Резонансное подавление зеркального отражения при возбуждении поверхностных электромагнитных волн на неметаллических периодических структурах
    
    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  693–697
17. Фотоответ структуры металл–полупроводник при возбуждении поверхностных поляритонов светом TE-поляризации
    
    Письма в ЖТФ, 13:5 (1987),  261–265
18. Аномальный фотоэффект на границе закиси меди с электролитом
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  876–880
19. Влияние оптических констант полупроводника на положение поляритонного пика фотоответа диодов Шоттки
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1145–1149
20. Исследование особенностей плавления GaAs в условиях двухдлинноволнового лазерного отжига
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2144–2148
21. Фотоответ структуры полупроводник – металл, связанный с возбуждением поверхностных поляритонов
    
    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1162–1165
22. Исследование оптических переходов в полупроводниках фотоэлектрохимическим методом
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  752–755
23. Запись голограмм на металле методом фотохимического травления
    
    Письма в ЖТФ, 9:8 (1983),  471–474