Ермачихин Александр Валерьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизмы токопереноса в полупроводниковой структуре с пленкой пористого кремния, сформированной металл-стимулированным травлением
   
   Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  420–425
2. Квантовый выход двусторонних солнечных элементов типа HIT
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1066–1071
3. Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления
   
   ЖТФ, 89:5 (2019),  737–743
4. Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением
   
   Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  24–27
5. Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  787–791
6. Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/$por$-Si/$p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  751–756
7. Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния
   
   Письма в ЖТФ, 43:21 (2017),  3–9
8. Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния
   
   ЖТФ, 86:11 (2016),  91–94
9. Исследование механизмов токопрохождения в тонких пластинах рубрена, изготовленных газотранспортным методом
   
   Письма в ЖТФ, 42:22 (2016),  16–22
10. Низкоомные и высокоомные состояния в пленках титаната стронция, сформированных золь-гель-методом
    
    Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1977–1980
11. Анализ электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs методами спектроскопии адмиттанса
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  944–950