RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Исаев Абасат Иса оглы

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние режима получения образцов и термообработки на локальную структуру халькогенидного полупроводника Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  291–296
  2. Структура и оптические свойства халькогенидного стеклообразного полупроводника As–Ge–Te

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1052–1057
  3. Влияние примеси самария на локальную структуру халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_{5}$ и механизм прохождения тока через структуры Al–Se$_{95}$Te$_{5}\langle\mathrm{Sm}\rangle$–Te

    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1655–1663
  4. Структура халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_{5}$, легированного примесью EuF$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1540–1543
  5. Cтруктура и оптические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As–Ge–Se

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1532–1539
  6. Влияние примеси самария на структуру и морфологию поверхности халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_{5}$

    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  809–814
  7. Дисперсия показателя преломления халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием

    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  971–974
  8. Особенности локальной структуры халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием

    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1182–1185
  9. Комбинационное рассеяние света в халькогенидных стеклообразных полупроводниках As–Se–S и As–Se–Te

    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  823–826
  10. Роль атомов самария в формировании структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников As–Se–S

    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  818–822
  11. Роль заряженных дефектов в фотопроводимости халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$ с примесью EuF$_3$

    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  158–162
  12. Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$, содержащего примеси редкоземельных атомов EuF$_3$, в сильных электрических полях

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1138–1142
  13. Токи, ограниченные пространственными зарядами в халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системе Se$_{95}$As$_5$, содержащей примеси EuF$_3$

    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1599–1603
  14. Исследование оптических параметров халькогенидной полупроводниковой системы Se–As, содержащей примеси EuF$_3$

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1026–1030


© МИАН, 2026