|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние режима получения образцов и термообработки на локальную структуру халькогенидного полупроводника Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$
Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 291–296
-
Структура и оптические свойства халькогенидного стеклообразного полупроводника As–Ge–Te
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1052–1057
-
Влияние примеси самария на локальную структуру халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_{5}$ и механизм прохождения тока через структуры Al–Se$_{95}$Te$_{5}\langle\mathrm{Sm}\rangle$–Te
Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1655–1663
-
Структура халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_{5}$, легированного примесью EuF$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1540–1543
-
Cтруктура и оптические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As–Ge–Se
Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1532–1539
-
Влияние примеси самария на структуру и морфологию поверхности халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_{5}$
Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 809–814
-
Дисперсия показателя преломления халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием
Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 971–974
-
Особенности локальной структуры халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием
Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1182–1185
-
Комбинационное рассеяние света в халькогенидных стеклообразных полупроводниках As–Se–S и As–Se–Te
Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 823–826
-
Роль атомов самария в формировании структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников As–Se–S
Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 818–822
-
Роль заряженных дефектов в фотопроводимости халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$ с примесью EuF$_3$
Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 158–162
-
Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$, содержащего примеси редкоземельных атомов EuF$_3$, в сильных электрических полях
Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1138–1142
-
Токи, ограниченные пространственными зарядами в халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системе Se$_{95}$As$_5$, содержащей примеси EuF$_3$
Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011), 1599–1603
-
Исследование оптических параметров халькогенидной полупроводниковой системы Se–As, содержащей примеси EuF$_3$
Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011), 1026–1030
© , 2026