Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Быстродействующие детекторы УФ-излучения на основе пленок Ga$_2$O$_3$
ЖТФ, 95:11 (2025), 2229–2234
-
Влияние температуры на напряжение переключения лавинных $S$-диодов
Письма в ЖТФ, 51:4 (2025), 23–26
-
Механизм последовательного включения токовых шнуров в лавинном $S$-диоде
Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 393–399
-
Влияние термического отжига на свойства гетероструктур Ga$_2$O$_3$/GaAs:Cr
ЖТФ, 93:11 (2023), 1631–1636
-
Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда
Письма в ЖТФ, 48:22 (2022), 24–27
-
Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе $\alpha$- и $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1035–1040
-
Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 240–246
© , 2026