Riemann H

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  816–821
2. Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1285–1288
3. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353
4. Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  199–205
5. Моноизотопный кремний $^{28}$Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах
   
   Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  168–173
6. Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом $^{28}$Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла
   
   Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1468–1474
7. Oxygen in Ge : Sn
   
   Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1297–1301