Планкина Светлана Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17–1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  495–500
2. Получение и исследование свойств слоев GaAs, легированных висмутом
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  399–405
3. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
4. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1233–1236
5. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом
   
   Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2130–2134
6. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1510–1513
7. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света
   
   Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1561–1564
8. Исследование $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  102–106
9. Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1886–1893
10. Фотоэлектрический метод определения коэффициента оптического поглощения и его применение к полуизолирующему GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1313–1320