Головкова Екатерина Анатольевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Остаточные напряжения на интерфейсе между несущей лентой и слоем YSZ при изготовлении ВТСП проводов второго поколения
   
   ЖТФ, 92:12 (2022),  1844–1852
2. Имплантация ионов кремния в сапфир: малые дозы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  766–770
3. Структура и трибологические характеристики композиционных материалов на основе Al–Cu–Fe, сформированных при высоких давлениях
   
   Письма в ЖТФ, 43:21 (2017),  40–46
4. Кристаллизация аморфных сплавов Zr–Be
   
   Физика твердого тела, 57:2 (2015),  254–257
5. Затравочные слои на подложках RABiTS для ВТСП проводов второго поколения
   
   Письма в ЖТФ, 38:18 (2012),  53–59