RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Шаповал Сергей Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Модификация параметров AlGaN/GaN-транзисторных структур пассивацией и обработкой в водородной плазме

    ЖТФ, 96:2 (2026),  336–344
  2. Повышение радиационной стойкости интегральных схем на основе биполярных транзисторов обработкой в водородной электронно циклотронно резонансной плазме и геттерированием Si-пластин

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  195–201
  3. Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  748–752
  4. Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади

    Письма в ЖТФ, 36:8 (2010),  39–47


© МИАН, 2026