RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Шаповал Сергей Юрьевич
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Модификация параметров AlGaN/GaN-транзисторных структур пассивацией и обработкой в водородной плазме
ЖТФ
,
96
:2 (2026),
336–344
Повышение радиационной стойкости интегральных схем на основе биполярных транзисторов обработкой в водородной электронно циклотронно резонансной плазме и геттерированием Si-пластин
Физика и техника полупроводников
,
57
:3 (2023),
195–201
Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода
Физика и техника полупроводников
,
54
:8 (2020),
748–752
Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади
Письма в ЖТФ
,
36
:8 (2010),
39–47
©
МИАН
, 2026