Рожков Александр Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Прямая токовая модуляция мощных полупроводниковых лазеров с помощью высокочастотных автоколебаний в арсенид-галлиевых лавинных диодах
   
   Письма в ЖТФ, 52:1 (2026),  36–40
2. Самовозбуждение высокочастотных автоколебаний в лавинных арсенид-галлиевых диодах
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  44–47
3. Субнаносекундная кинетика рекомбинационного излучения высоковольтного арсенид-галлиевого диода при ударно-ионизационном переключении
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  11–14
4. Коллапсирующие домены Ганна как механизм самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных высоковольтных GaAs-диодах
   
   Письма в ЖТФ, 48:20 (2022),  31–34
5. Эффект самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных GaAs-диодах, переключаемых в режиме задержанного лавинного пробоя
   
   Письма в ЖТФ, 48:16 (2022),  25–29
6. О токовой зависимости эффективности инжекции и относительном вкладе скорости эмиссии и внутренних оптических потерь в насыщение ватт-амперной характеристики мощных импульсных лазеров ($\lambda$ = 1.06 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  721–728
7. Численное моделирование токовой зависимости спектров излучения мощных импульсных лазеров, выполненных на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения
   
   Письма в ЖТФ, 44:11 (2018),  46–52
8. Аномальная динамика остаточного напряжения на арсенид-галлиевом диоде при субнаносекундном лавинном переключении
   
   Письма в ЖТФ, 41:7 (2015),  1–7
9. Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  716–718
10. Высоковольтный интегральный тиристор с полевым управлением
    
    ЖТФ, 83:1 (2013),  105–109
11. Инжекционно-ионизационный механизм неустойчивости тока при выключении интегрального тиристора с полевым управлением
    
    Письма в ЖТФ, 39:23 (2013),  18–25
12. Инжекционные полупроводниковые лазеры InGaAs/GaAs с волноводом на одиночной квантовой яме
    
    Письма в ЖТФ, 39:8 (2013),  9–16
13. Высоковольтный быстрый диод с “мягким” восстановлением
    
    ЖТФ, 81:10 (2011),  50–54
14. Исследование процесса обратного восстановления Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием
    
    Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  83–89
15. Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния
    
    Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  105–110
16. Исследование каскодного режима выключения интегральных тиристоров с внешним полевым управлением
    
    ЖТФ, 80:1 (2010),  155–158
17. InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1640–1644
18. Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1135–1139
19. Сверхбыстрое выключение больших токов интегральным тиристором с полевым управлением
    
    Письма в ЖТФ, 36:19 (2010),  107–111