RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Лебедев Михаил Вячеславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Эволюция состава естественного окисла на поверхности Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As(100) при взаимодействии с водным раствором сульфида натрия

    Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  636–643
  2. Пассивация поверхностей AlGaAs(100) растворами сульфида аммония

    Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  302–312
  3. Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей $n$-InP(100)

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  659–666
  4. Модификация атомной и электронной структуры поверхности полупроводников А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$ на границе с растворами электролитов. Обзор

    Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  587–630
  5. Эволюция физико-химических свойств поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония

    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  908–916
  6. Влияние растворителя сульфида аммония на пассивацию поверхности GaSb(100)

    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1138–1145
  7. Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками

    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  86–94
  8. Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок

    ЖТФ, 84:6 (2014),  92–97
  9. Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  710–716
  10. Перенос заряда на границе $n$-GaAs(100) с водным раствором соляной кислоты: исследования методом электрохимической импедансной спектроскопии

    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  487–493
  11. Квантово-химические исследования адсорбции молекул изопропилового спирта на поверхности GaAs (100)

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1579–1583
  12. Пассивация фотодиодов для инфракрасной области спектра спиртовым сульфидным раствором

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  535–539


© МИАН, 2026