Бельтюков Артемий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. A new photocatalyst based on layer-ordered anatase nanoparticles doped with manganese
   
   Mendeleev Commun., 34:2 (2024),  232–234
2. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503
3. Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1010–1016
4. Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1553–1562
5. Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления
   
   Физика твердого тела, 59:4 (2017),  773–782
6. Исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноструктур ZnS$_{x}$Se$_{1-x}$, полученных в матрице пористого оксида алюминия,
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1400–1403
7. Cтруктурные исследования нанокомпозитов ZnS : Cu (5 ат%) в пористом Al$_{2}$O$_{3}$ различной толщины
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  216–221
8. Светоизлучающие нанокомпозиты на основе ZnS:Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  269–273
9. Электролюминесцентные слои на основе ZnS : Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Письма в ЖТФ, 42:3 (2016),  23–28
10. Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe
    
    ЖТФ, 81:6 (2011),  153–155