Емельянов Виктор Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. AlGaAs-субэлементы для гибридных А$^3$В$^5$//Si солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 52:3 (2026),  49–52
2. Гибридные каскадные солнечные элементы на основе бондинга материалов А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ и кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  328–331
3. Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  291–293
4. Исследование времен жизни неравновесных носителей заряда электролюминесцентным методом в многопереходных солнечных элементах при облучении протонами и электронами высоких энергий
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  214–218
5. Тандемные GaInP/Ga(In)As-структуры для трехпереходных гибридных GaInP/Ga(In)As//Si солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 51:13 (2025),  40–43
6. Эффективность концентраторных фотоэлектрических модулей на основе короткофокусных линз Френеля и A$^3$B$^5$ солнечных элементов
   
   ЖТФ, 94:10 (2024),  1701–1706
7. Концентраторные фотоэлектрические модули на основе короткофокусных линз Френеля с комбинированным профилем
   
   Письма в ЖТФ, 50:23 (2024),  77–81
8. Оптимизационные решения для фотоэлектрических модулей с линзами Френеля и трех-/пятипереходными солнечными элементами
   
   Письма в ЖТФ, 50:18 (2024),  7–10
9. Поиск компромиссных конструктивных решений для модулей с линзовыми концентраторами солнечного излучения
   
   Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  8–11
10. Методика контроля соотношения прямой и диффузной компонент солнечного излучения при измерении фотоэлектрических характеристик гибридного модуля
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  69–72
11. Исследование характеристик гибридных фотоэлектрических модулей в условиях локальной неравномерности облученности и частичного затенения
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  42–45
12. Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  400–407
13. Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  41–43
14. Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах
    
    Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  95–101
15. Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  50–58
16. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246
17. Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  525–530
18. Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  132–137
19. Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  125–131
20. Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H при повышенной освещенности
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1385–1390
21. Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1264–1269
22. Исследование световой деградации тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H солнечных фотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  667–674
23. Фотоиндуцированная деградация тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu$c-Si : H фотопреобразователей при повышенных температурах
    
    Письма в ЖТФ, 39:20 (2013),  40–48
24. Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  43–49
25. Многопереходные солнечные элементы с брэгговскими отражателями на основе структур GaInP/GaInAs/Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1649–1654
26. Исследование диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1118–1123