Былев Александр Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизмы токопрохождения в структуре TiN/Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  662–667
2. Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  443–447
3. Многоуровневая запись в тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  372–375