|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Механизмы токопрохождения в структуре TiN/Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au
Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024), 662–667
-
Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$
Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024), 443–447
-
Многоуровневая запись в тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$
Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 372–375
-
Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1503–1506
-
$S$-образные вольт-амперные характеристики композитных пленок на основе полимеров с частицами графена и оксида графена
Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2476–2481
-
Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge–Sb–Te
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 958–962
-
Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока
ЖТФ, 84:4 (2014), 80–84
© , 2026